Bất kể có bao nhiêu nhóm ngân hàng DDR4 đã được mở cho một loạt các truy cập Avalon-MM vào bộ điều khiển cứng DDR4, tính năng tự động sạc sẵn sẽ chỉ có hiệu lực trên nhịp cuối cùng của burst Avalon-MM.
Dưới đây là 2 ví dụ cho thấy cách đạt được hiệu suất tốt nhất với tính năng tự động sạc trước.
Trong cả hai trường hợp, hãy sử dụng các loạt dữ liệu lưu lượng đọc hoặc ghi lưu lượng được xử lý tuần tự và tính năng tự động sạc trước khi truy cập kéo dài đến trang bộ nhớ. Một trang bộ nhớ được định nghĩa là nhóm ngân hàng, tổ hợp địa chỉ ngân hàng và địa chỉ hàng được mở bởi lệnh kích hoạt DDR4.
1) IP DDR4 được định cấu hình với tham số đặt hàng Địa chỉ > Hiệu quả trong tab Bộ điều khiển. Bạn có thể đặt giá trị tham số này thành CS-CID-Row-Bank-Col-BG hoặc CID-Row-CS-Bank-Col-BG.
Phá vỡ các Avalon truy cập của bạn vào bộ điều khiển cứng DDR4 vào các truy cập được giải quyết tuần tự với kích thước burst là 1. 4 nhóm ngân hàng sẽ được sử dụng và trong 4 lần truy cập gần đây nhất, hiển thị tín hiệu tự động sạc trước để tất cả các nhóm ngân hàng nhận được lệnh đọc hoặc ghi với các lệnh tự động sạc trước. Thiết bị DDR4 với cấu hình x4 và x8 có 4 nhóm ngân hàng. Lưu ý rằng thiết bị DDR4 x16 chỉ có 2 nhóm ngân hàng.
2) IP DDR4 được định cấu hình với tham số tab Bộ điều khiển > Hiệu quả > Đặt hàng Địa chỉ thành CS-BG-Bank-CID-Row-Col
Với cách đặt hàng địa chỉ này, chỉ có một trang bộ nhớ sẽ được mở và Avalon truy cập burst với kích thước burst lớn hơn một trang có thể được sử dụng. Đối với lần truy cập cuối cùng trong burst, hiển thị tín hiệu tự động sạc trước.