ID bài viết: 000085220 Loại nội dung: Xử lý sự cố Lần duyệt cuối: 11/09/2012

Có vị trí bộ nhớ nào được ghi vào trong DDR3 SDRAM với ALTMEMPHY trong giai đoạn ghi hiệu chỉnh không?

Môi Trường

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
Mô tả Không, tôin phần san bằng ghi của DDR3 SDRAM với thuật toán hiệu chỉnh ALTMEMPHY, vị trí bộ nhớ không thực sự được viết vào. ALTMEMPHY đặt DIMM vào "chế độ san bằng ghi" bằng cách sử dụng thanh ghi chế độ. Trong thời gian này, DRAM điều khiển một mô hình đào tạo vào các chân DQ để thực hiện san bằng ghi, vì vậy không có vị trí bộ nhớ nào thực sự được sử dụng trong thời gian này.

Các sản phẩm liên quan

Bài viết này áp dụng cho 5 sản phẩm

FPGA Stratix® II
FPGA Stratix® III
FPGA Stratix® IV GT
FPGA Stratix® IV E
FPGA Stratix® IV GX

1

Cần thêm trợ giúp?

Liên hệ hỗ trợ

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm

1

Tất cả các bài đăng và việc sử dụng nội dung trên trang này đều phải tuân theo Điều khoản Sử dụng của Intel.com.

Nội dung gốc bằng tiếng Anh trên trang này vừa do con người vừa do máy dịch. Nội dung này chỉ để cung cấp thông tin chung và giúp quý vị thuận tiện. Quý vị không nên tin đây là thông tin hoàn chỉnh hoặc chính xác. Nếu có bất kỳ mâu thuẫn nào giữa bản tiếng Anh và bản dịch của trang này, thì bản tiếng Anh sẽ chi phối và kiểm soát. Xem phiên bản tiếng Anh của trang này.