ID bài viết: 000078829 Loại nội dung: Xử lý sự cố Lần duyệt cuối: 15/11/2011

Vi phạm thời gian bộ nhớ trong khi kích hoạt tính năng tự động sạc trước để làm mới/kích hoạt

Môi Trường

    Phiên bản đăng ký Intel®Intel® Quartus® II
BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Sự cố quan trọng

Mô tả

Đối với các thiết kế được tạo trong phiên bản của bộ điều khiển hiệu suất cao (HPC) trước phiên bản 11.0, vi phạm thời gian bộ nhớ có thể xảy ra trong quá trình kích hoạt để đọc nạp trước. Thiết kế của bạn có thể không mô phỏng được.

Độ phân giải

Đối với các thiết kế nhắm mục tiêu thông số kỹ thuật 1066 và chạy với Tốc độ 533 MHz, tăng một chu kỳ đồng hồ điều khiển của các tham số thời gian tRP và tRCD, để tRC cho bộ điều khiển lớn hơn tRC cho mô hình bộ nhớ.

Đối với các thiết kế nhắm mục tiêu thông số kỹ thuật 1066 và chạy với Tốc độ 400 MHz, tăng một chu kỳ đồng hồ điều khiển của tRP tham số thời gian, để tRC cho bộ điều khiển lớn hơn tRC cho mô hình bộ nhớ.

Các sản phẩm liên quan

Bài viết này áp dụng cho 1 sản phẩm

Thiết bị có thể lập trình Intel®

1

Cần thêm trợ giúp?

Liên hệ hỗ trợ

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm

1

Tất cả các bài đăng và việc sử dụng nội dung trên trang này đều phải tuân theo Điều khoản Sử dụng của Intel.com.

Nội dung trên trang này là sự kết hợp giữa bản dịch của con người và máy tính của nội dung gốc bằng tiếng Anh. Nội dung này được cung cấp để thuận tiện cho bạn và chỉ cung cấp thông tin chung và không nên dựa vào là đầy đủ hoặc chính xác. Nếu có bất kỳ mâu thuẫn nào giữa phiên bản tiếng Anh của trang này và bản dịch, phiên bản tiếng Anh sẽ chi phối và kiểm soát. Xem phiên bản tiếng Anh của trang này.