ID bài viết: 000076520 Loại nội dung: Xử lý sự cố Lần duyệt cuối: 11/11/2020

Điều gì có thể gây ra lỗi dữ liệu kiểm tra bộ nhớ xảy ra khi sử dụng IP DDR4 EMIF Intel® Stratix® 10 FPGA được định cấu hình cho thiết bị bộ nhớ DDR4 kích thước 16Gb?

Môi Trường

  • Intel® Quartus® Prime Phiên bản Pro
  • Giao diện bộ nhớ ngoài IP FPGA Intel® Stratix® 10
  • BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
    Mô tả

    Bảng dữ liệu của thiết bị bộ nhớ DDR4 16Gb có thể hiển thị tRFC1 (làm mới để kích hoạt hoặc làm mới khoảng thời gian lệnh) yêu cầu tham số thời gian lớn hơn 350ns.

    Do sự cố trong bộ điều khiển cứng IP INTEL® STRATIX® 10 DDR4 EMIF, nếu tham số DDR4 IP tRFC trên tab Thời gian ghi nhớ được đặt thành giá trị lớn hơn 350n, nó có thể không hoạt động chính xác và có thể gây ra lỗi dữ liệu kiểm tra bộ nhớ.

    Không có thông báo lỗi IP nào được hiển thị khi sử dụng IP EMIF trong Phần mềm Intel Quartus® Prime phiên bản Pro sớm hơn phiên bản 20.3.

    Bắt đầu từ phiên Intel Quartus Prime Phiên bản Phần mềm Pro phiên bản 20.3 và EMIF IP phiên bản 19.2.2, thông báo lỗi sau sẽ được hiển thị:

    Lỗi: Dòng thiết bị hiện tại hỗ trợ giá trị tRFC tối đa là 350ns, nhưng giá trị hiện tại là 550.0. Vui lòng liên hệ với Intel để được hỗ trợ.

    Độ phân giải

    Khi tham số tRFC1 lớn hơn 350ns là bắt buộc, giải pháp là thay đổi chế độ làm mới chi tiết tinh chỉnh để các yêu cầu làm mới được ban hành thường xuyên hơn nhưng tham số DDR4 IP tRFC không vượt quá 350n.  Kiểm tra các tham số thời gian trong DDR4 DIMM và bảng dữ liệu thành phần. Đối với DIMM, hãy tham khảo yêu cầu tham số tRFC1 trong dấu byte 30 & 31 phát hiện hiện diện nối tiếp (SPD).

    Ví dụ: đối với thiết bị bộ nhớ kích thước 16Gbit có độ làm mới chi tiết tinh chỉnh Chế độ cố định 1x và yêu cầu tRFC1 là 550ns, đặt các tham số làm mới IP DDR4 như được hiển thị bên dưới để hoạt động trong phạm vi nhiệt độ thương mại:

    Trên tab Bộ nhớ:

    Ẩn cài đặt đăng ký chế độ nâng cao

    Đặt làm mới chi tiết mịn = Cố định 2 lần

     

    Trên tab Mem Timing :

    Đặt tRFC = 350ns (tRFC2 trong bảng dữ liệu)

    Đặt tREFI = 3,9us

    Để hoạt động phạm vi nhiệt độ cao hơn, tham số tREFI phải được giảm xuống giá trị được hiển thị trong bảng dữ liệu DDR4.

     

    Tái tạo IP DDR4 và biên dịch lại dự án.

    Lưu ý rằng việc sử dụng chế độ làm mới 2x độ chi tiết tốt có thể làm tăng mức tiêu thụ điện năng của bộ nhớ DDR4, đặc biệt là khi sử dụng các thiết bị bộ nhớ mật độ cao. Bạn nên phân tích cẩn thận nguồn điện bộ nhớ DDR4 và thiết kế nhiệt của mình.

    Nếu giải pháp khắc phục thành công và các bài kiểm tra dữ liệu bộ nhớ hiện đã qua, không cần hành động nào khác.

    Các sản phẩm liên quan

    Bài viết này áp dụng cho 1 sản phẩm

    FPGA Intel® Stratix® 10 và FPGA SoC

    Nội dung gốc bằng tiếng Anh trên trang này vừa do con người vừa do máy dịch. Nội dung này chỉ để cung cấp thông tin chung và giúp quý vị thuận tiện. Quý vị không nên tin đây là thông tin hoàn chỉnh hoặc chính xác. Nếu có bất kỳ mâu thuẫn nào giữa bản tiếng Anh và bản dịch của trang này, thì bản tiếng Anh sẽ chi phối và kiểm soát. Xem phiên bản tiếng Anh của trang này.