Enterprise Inspired. Performance Optimized.

Designed to meet today’s increasingly I/O-intensive requirements across a wide range of workloads while improving IT efficiency.

Architected with 96-layer TLC, Intel® 3D NAND Technology, Intel® SSD D7-P5500 and Intel® SSD D7-P5600 Series offer optimized performance and capacity for all-TLC arrays and are designed to advance IT efficiency and data security. The Intel® SSD D7-P5500 and Intel® SSD D7-P5600 Series include an all new Intel PCIe* Gen4 controller and firmware that bring low latency, enhanced management capabilities, scalability and critical new NVMe* features for Enterprise and Cloud environments.

Available in the U.2 15mm form factor, these SSDs offer 1.92 TB, 3.84 TB, and 7.68 TB at 1 Drive Write per Day (DWPD) and 1.6 TB, 3.2 TB, and 6.4 TB at 3 DWPD.

Unlock the Value of Stored Data

The Intel® SSD D7-P5500 and Intel® SSD D7-P5600 Series deliver predictably fast, high performance and can greatly accelerate all-TLC storage arrays. Compared to previous-gen Intel® SSDs, the capacity-optimized D7-P5500 delivers up to 2x sequential performance1 and the performance-optimized D7-P5600 brings up to 44% higher random mixed-workload performance.2 Both drives also offer improvements to tail latencies, including up to 80% lower 4KB Random Read Quality of Service (QoS) for 99.99999% (7 9s) of transactions.3

Firmware enhancements such as prioritizing host workloads and enabling updates without reset further elevate application performance.

Advanced Features for Drive Performance, IT Efficiency, and Data Security

The Intel® SSD D7-P5500 and Intel® SSD D7-P5600 Series include numerous firmware enhancements specifically designed to improve IT efficiency and data security in an increasingly data-centric world.

  • Dynamic namespace management delivers the flexibility to enable more users and scale deployment.
  • Additional security features like TCG Opal 2.0 and a built-in AES-XTS 256-bit encryption engine, which are required by some secure platforms.
  • Enhanced SMART monitoring, which reports drive health status without disrupting I/O data flow using an in-band mechanism and out-of-band access.
  • Telemetry 2.0 makes a wide range of stored data accessible and includes intelligent error tracking and logging. This increases the reliability of finding and mitigating issues and supports accelerated qualification cycles — all of which can result in increased IT efficiency.
  • Optimized TRIM architecture now runs as a background process without interference to workloads, improving performance and QoS during concurrent TRIMs. The TRIM process is improved for high-density drives, with reduced write amplification that helps drives meet their endurance goal.
  • A Power-Loss imminent (PLI) protection scheme with built-in self-testing, guards against data loss if system power is suddenly lost. Coupled with end-to-end data path protection scheme, PLI features also enable ease of deployment into resilient data centers where data corruption from system-level glitches is not tolerated.

Extending NAND Technology Leadership

Intel’s 96-layer 3D NAND technology delivers industry-leading areal density and data retention,4 enabling enterprise customers to confidently scale storage arrays to meet their growing needs. The swift adoption of software-defined and hyperconverged infrastructures increases the requirement to maximize efficiency, revitalize existing hardware, and increase server agility—all while maintaining operational reliability.

Meeting the demand of increasingly I/O-intensive workloads, including AI and Analytics, has become a core element for any enterprise strategy. Top enterprise server manufacturers have responded by embracing PCIe/NVMe*-based SSDs with scalable performance, low latency, and continuous innovation.

Features At-a-Glance

Model Intel® SSD D7-P5500 Series Intel® SSD D7-P5600 Series
Capacity and Form Factor U.2 15mm: 1.92 TB, 3.84 TB, 7.68 TB U.2 15mm: 1.6 TB, 3.2 TB, 6.4 TB
Interface PCIe* 4.0 x4, NVMe* 1.3c PCIe* 4.0 x4, NVMe* 1.3c
Media Intel® 3D NAND Technology, 96-layer, TLC Intel® 3D NAND Technology, 96-layer, TLC
Performance 128K Sequential R/W up to 7,000/4,300 MB/s 128K Sequential R/W up to 7,000/4,300 MB/s
  Random 4KB R/W up to 1M/130K IOPS Random 4KB R/W up to 1M/260K IOPS
Endurance 1 DWPD (up to 14 PBW) 3 DWPD (up to 35 PBW)
Reliability

UBER: 1 sector per 1017 bits read

MTBF: 2 million hours

UBER: 1 sector per 1017 bits read

MTBF: 2 million hours

Power

Max Avg. Active Write: 20W

Idle: 5W

Max Avg. Active Write: 20W

Idle: 5W

Warranty 5-year limited warranty 5-year limited warranty
  View product specifications ›
View product specifications ›

Cơ sở hạ tầng lưu trữ dành cho AI

Tăng tốc khối lượng công việc lưu trữ AI có khả năng thay đổi liên tục trong khi vẫn cải thiện hiệu suất lưu trữ là yếu tố quan trọng để khai thác tối đa giá trị của AI. Tìm hiểu cách bắt đầu xây dựng một bộ lưu trữ dữ liệu AI nhanh chóng, hiệu quả và có khả năng mở rộng.

Hiện đại hóa bộ lưu trữ của bạn để sẵn sàng cho AI

Intel® Solid State Drive


Learn about the technologies being developed to drive innovations in storage.

Thông tin Sản phẩm và Hiệu năng

1

So sánh hiệu năng của ổ đĩa thể rắn Intel® D7-P5600 Series và ổ đĩa thể rắn Intel® DC P4610 Series. Xem tóm tắt sản phẩm ổ đĩa thể rắn Intel® DC P4610 Series: https://www.intel.vn/content/www/vn/vi/products/docs/memory-storage/solid-state-drives/data-center-ssds/dc-p4610-p4618-series-brief.html.

2

Nguồn – Intel. So sánh hiệu năng đo được cho hiệu s,uất đọc/ghi ngẫu nhiên 70/30 4KB (4096 byte) QD256 (32x8w) giữa ổ đĩa thể rắn Intel® D7-P5600 Series 6,4TB và ổ đĩa thể rắn Intel® DC P4610 Series 6.4TB. Cấu hình hệ thống và kiểm tra: CPU: bộ xử lý Intel® Xeon® Gold 6139 @ 2,30GHz, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, RAM: 96GB, kiểu sản phẩm RAM: DDR4 2666MHz, chipset: chipset Intel® C624, siêu phân luồng: tắt, quản lý CPU (thông qua HĐH): chế độ hiệu năng, HĐH: CentOS* 7.2, kernel: 4.8.6. Hiệu năng đo được là 520K IOPS và 360K IOPS cho D7-P5600 và DC P4610,theo thứ tự tương ứng. Các phương thức đo được thực hiện trên vùng Địa Chỉ Khối Logic (LBA) đầy đủ của ổ đĩa một khi khối lượng công việc đạt đến trạng thái ổn định, nhưng bao gồm tất cả các hoạt động nền cần thiết cho hoạt động vận hành bình thường và độ ổn định dữ liệu. Chế độ điện năng đặt ở mức PM0.

3

Độ trễ đuôi ám chỉ đến thời gian phản hồi trong kịch bản xấu nhất; độ trễ thấp hơn tại 99,99% (4 số 9) nghĩa là giao dịch chậm nhất trong mỗi một nhóm 10.000 giao dịch sẽ được cải thiện. Nguồn – Intel. So sánh hiệu năng đo được cho các độ trễ 100% Đọc Ngẫu Nhiên 4KB QD1 tại độ khả dụng 99,99999% (7 số 9) giữa ổ đĩa thể rắn Intel® D7-P5600 Series 6,4TB và ổ đĩa thể rắn Intel® DC P4610 Series 6,4TB. D7-P5600 và DC P4610 được đo trên vi chương trình bản thương mại mới nhất của từng ổ đĩa, tương ứng lần lượt là "10019" và "1047E". Độ trễ đo được là 0,48ms và 2,57ms cho D7-P5600 và DC P4610, theo thứ tự tương ứng lần lượt. Hiệu năng cho cả hai ổ đĩa đo được bằng FIO Linux CentOS* 7.2 kernel 4.8.6 với kích thước truyền 4KB (4096 bytes) kèm Độ Sâu Hàng Đợi 1 (1 bộ chạy). Các phương thức đo được thực hiện trên vùng Địa Chỉ Khối Logic (LBA) đầy đủ của ổ đĩa một khi khối lượng công việc đạt đến trạng thái ổn định, nhưng bao gồm tất cả các hoạt động nền cần thiết cho hoạt động vận hành bình thường và độ ổn định dữ liệu. Chế độ điện năng đặt ở mức PM0.

4

Nguồn: IEEE International Solid State Circuits. ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau. Các phương thức đo được thực hiện trên bộ phận của ổ đĩa thể rắn, sử dụng cổng trôi và công nghệ flash bẫy điện tích. Nền tảng đo được sử dụng là các hệ thống kiểm tra Teradyne Magnum 2 Memory và lập trình bằng các mẫu hình ngẫu nhiên, cũng như định tính biên bằng cách sử dụng lệnh yêu cầu của khách hàng. Dữ liệu đo vào tháng 08/2019.

Phần mềm và khối lượng công việc được sử dụng trong các cuộc kiểm tra hiệu năng có thể đã được tối ưu hóa để thực hiện chỉ trên các bộ vi xử lý của Intel®. Các bài kiểm tra hiệu năng như SYSmark* và MobileMark* được đo bằng cách sử dụng các hệ thống, bộ phận, phần mềm, thao tác và chức năng cụ thể của máy tính. Bất kỳ thay đổi nào của các yếu tố này cũng có thể làm thay đổi kết quả. Bạn nên tham khảo các thông tin và bài kiểm tra hiệu năng khác để có thể đánh giá một cách đầy đủ về sản phẩm mình định mua, kể cả hiệu năng của sản phẩm đó khi kết hợp với các sản phẩm khác. Để biết thêm thông tin đầy đủ, vui lòng truy cập www.intel.vn/benchmarks.

Kết quả hoạt động dựa trên kiểm tra vào ngày được hiển thị trong cấu hình và có thể không phản ánh tất cả các bản cập nhật hiện công bố. Xem phần sao lưu để biết thông tin chi tiết cấu hình. Không có sản phẩm hoặc linh kiện nào có thể an toàn tuyệt đối.

Chi phí và kết quả của bạn có thể thay đổi.

Công nghệ Intel® có thể yêu cầu phần cứng, phần mềm tương thích hoặc kích hoạt dịch vụ.

© Intel Corporation. Intel và logo Intel là thương hiệu của Intel Corporation tại Hoa Kỳ và/hoặc các quốc gia khác. Các tên và nhãn hiệu khác có thể được xác nhận là tài sản của các chủ sở hữu khác.