Sản xuất với các công nghệ quy trình sản xuất hàng đầu
Được xây dựng với các công nghệ quy trình tiên tiến nhất—được tối ưu hóa cho AI, HPC và điện toán thế hệ tiếp theo và được sản xuất thông qua chuỗi cung ứng toàn cầu bền bỉ.
Intel 14A
Một bước tiến mang tính thế hệ
- Được trang bị các bóng bán dẫn Gate-all-around RibbonFET 2 và công nghệ cung cấp năng lượng mặt sau PowerDirect để mang lại hiệu quả và hiệu năng đột phá.
- Mang lại cải thiện hiệu năng 15–20% ở cùng một năng lượng, hoặc giảm năng lượng 25–35% ở cùng một hiệu năng và cải thiện mật độ chip lên đến 30% so với Intel 18A.1
- Turbo Cells tăng tốc hiệu năng CPU/GPU đồng thời cho phép các nhà thiết kế tinh chỉnh các mức độ đánh đổi hiệu năng năng lượng cấp khối cho các ứng dụng mục tiêu.
Intel 18A
Đổi mới hàng đầu trong ngành
- Giới thiệu sự kết hợp độc đáo lần đầu tiên trong ngành giữa các bóng bán dẫn RibbonFET Gate-all-around và phân phối điện năng mặt sau PowerVia.
- Mang lại hiệu năng cao hơn đến 18% ở công suất ISO, năng lượng thấp hơn 38% ở hiệu năng ISO và cải thiện mật độ chip 30% so với Intel 3.2
- PowerVia cải thiện hiệu quả sử dụng cell tiêu chuẩn và giảm sụt áp IR, nâng cao phân phối điện năng và hiệu quả hiệu năng.
- RibbonFET cho phép kiểm soát tĩnh điện được cải thiện, hiệu năng cao hơn trên mỗi watt và hoạt động ở mức Vmin thấp hơn.
- Sẵn sàng cho các thiết kế với hỗ trợ hệ sinh thái đầy đủ và hỗ trợ thiết kế.
- Dòng nút Intel 18A cũng bao gồm Intel 18A-P, mang lại mức tăng hiệu năng lên đến 9% trên mỗi watt và nâng cao hiệu quả năng lượng3, và Intel 18A-PT để tích hợp 3DIC tiên tiến.
Intel 3
Nút FinFET cuối cùng của chúng tôi
- Tận dụng EUV và các thư viện nâng cao để có dòng điện dẫn và hiệu quả kết nối tốt hơn.
- Mang lại cải thiện hiệu năng 18% ở cùng mức công suất và cải thiện mật độ chip lên đến 8% so với Intel 4.4
- Lý tưởng cho các ứng dụng điện toán chung, cân bằng hiệu năng và hiệu quả.
- Dòng sản phẩm bao gồm Intel 3-E, cung cấp các khả năng I/O và tương tự mở rộng, và Intel 3-T, cung cấp các TSV pass-through để xếp chồng mật độ cao.
- Trong sản xuất số lượng lớn và có sẵn độc quyền dưới dạng Nút Dịch vụ thiết kế.
Nút quy trình Intel và UMC 12 nm
Đổi mới cộng tác
- Được phát triển với UMC, kết hợp chuyên môn FinFET của Intel với kinh nghiệm RF và logic của UMC.
- Mang lại hiệu năng cao hơn 10% bằng cách sử dụng các thiết bị FinFET được tối ưu hóa và giảm năng lượng 20% bằng cách giảm điện áp so với công nghệ 14nm (14FFC) của UMC.
- Được tối ưu hóa cho thị trường di động, không dây và mạng.
- Cung cấp một giải pháp thay thế chuỗi cung ứng đa dạng, linh hoạt hỗ trợ các ứng dụng tăng trưởng cao.
Intel 16
Lợi thế của FinFET với tính linh hoạt của cấu trúc phẳng
- Mang lại hiệu năng lớp 16nm với ít mặt nạ hơn và các quy tắc thiết kế quy trình sau được đơn giản hóa.
- Phù hợp cho các ứng dụng lưu trữ, RF, mmWave và dân dụng.
- Cải thiện hành vi kênh ngắn trên nhiều độ dài kênh khác nhau.
- Trong sản xuất khối lượng lớn tại Fab 24 của Intel Foundry ở Ireland.
Liên minh hệ sinh thái Intel Foundry Accelerator
Tận hưởng sự hỗ trợ toàn diện trong các lĩnh vực chính từ các đối tác hệ sinh thái, từ IP, EDA, Dịch vụ thiết kế, Đám mây, USMAG, Chuỗi giá trị và Liên minh Chiplet.
Các công ty hàng đầu trong ngành tin tưởng Intel Foundry
Với các sản phẩm Intel 18A hiện có trên thị trường và danh mục nút mở rộng, khách hàng đang chọn Intel Foundry để có hiệu năng và hiệu quả hàng đầu.
Chúng tôi đã công bố kế hoạch thành lập Intel Foundry với tư cách là công ty con, cung cấp cho khách hàng sự đảm bảo hơn và tách biệt các cam kết rõ ràng hơn.
Xem thêm về các công nghệ xử lý
Intel Foundry Shuttle
Chương trình wafer mở, đa sản phẩm của chúng tôi cho phép tạo mẫu thiết kế trên các công nghệ tiên tiến của Intel.
Thị trường
Silicon nút tiên tiến, các giải pháp đóng gói và chuỗi cung ứng ổn định giúp Intel dẫn đầu trong các ngành công nghiệp chính.
Cổng thông tin Intel Foundry
Thông tin sản phẩm và hiệu năng
Dựa trên phân tích nội bộ của Intel so sánh Intel 14A với Intel 18A tính đến tháng 4 năm 2025. Kết quả có thể khác nhau.
K. Fischer và cộng sự, “Công nghệ Nền tảng Intel 18A với RibbonFET (GAA) và PowerVia cho Điện toán Hiệu năng Cao tiên tiến,” Hội nghị chuyên đề IEEE/JSAP về Công nghệ và Mạch VLSI, tháng 6 năm 2025.
A. Bowonder và cộng sự, “Nâng cấp công nghệ CMOS Intel 18A-P với các bóng bán dẫn RibbonFET (GAA) tiên tiến và PowerVia cho điện toán hiệu năng cao,” Hội nghị chuyên đề IEEE/JSAP về Công nghệ và Mạch VLSI, tháng 6 năm 2026.
Công nghệ nền tảng FinFET nâng cao Intel 3 cho Điện toán hiệu năng cao và Ứng dụng sản phẩm SOC, được giới thiệu trong khuôn khổ của Hội nghị chuyên đề VLSI năm 2024.