Transforming the Economics of Storage

Intel® 3D NAND Technology extends our leadership in flash memory with an architecture designed for higher capacity and optimal performance, a proven manufacturing process providing accelerated transitions and scaling, and rapid portfolio expansion for multiple market segments.

Storage Capacity Empowered by Intel® Innovation

Intel introduces the world’s first PCIe* SSDs with QLC technology. Intel® QLC 3D NAND Technology provides up to 33% higher capacity1 than its 3D NAND predecessor. It also uniquely features PCIe* acceleration, to deliver a reliable mix of performance, capacity, and value-making it a smart storage solution for both datacenter and client markets.

Intel® QLC Technology leverages current 3D NAND, with a proven 64-layer structure, and adds a new cell that provides 4bits/cell (QLC), making it the world's highest-density flash memory. Additionally, this technology uses a floating gate cell because it is a reliable, low-cost storage method. Last, Intel® QLC Technology was paired with PCIe*- (NVMe*) technology, to provide up to a 4x performance benefit over SATA interfaces.2

Prepare for the future with Intel QLC-built on reliable Intel® technology and backed by Intel manufacturing leadership.

Finally, SSD Performance Meets Big Business Value

For datacenters, Intel® QLC 3D NAND Technology radically shrinks HDD system footprints.3 Fewer systems to maintain lead to power and cooling savings4, while also reducing operation and capital costs associated with drive replacements.5 And while footprint goes down, performance goes up.6 PCIe* acceleration blasts through SATA bottlenecks7, unleashing the full power of QLC. When coupled with optional Intel® Optane™ technology, Intel® 3D NAND Technology datacenter products deliver even better performance2, accelerating access to data needed most.

Do more, store more, and save more with Intel® QLC Technology featured in the Intel® SSDs D5-P4320 and D5-P4326 Series-Currently shipping in limited quantities and available broadly winter, 2018.

Amazing Is Now Affordable

Intel® QLC 3D NAND Technology enables consumers to tackle today’s storage needs and prepare for the growing demands of tomorrow. These client SSDs pack in more data than TLC-based storage, allowing up to 2x more capacity in identical footprints.1 Only Intel coupled this game-changing technology with PCIe* to deliver affordable PCIe performance.

Shop Intel® QLC 3D NAND SSD

Architected for Capacity and Reliability

Intel® 3D NAND Technology is an innovative response to the industry’s growing demand for data storage capacity. Compared to other available NAND solutions, Intel® 3D NAND Technology is designed on floating gate architecture with a smaller cell size and a highly efficient memory array, which enables higher capacity solutions and high reliability with strong protection from charge loss.

See How 3D NAND Advances Storage

Intel® 3D NAND Technology accelerates Moore's Law into three dimensions, overcoming the capacity limitations of traditional 2D NAND technology. The vertical layering of our 3D NAND enables higher areal density today, with scalability for the future.

Innovation Leadership

64-Layer Breakthrough

Intel has applied 30 years of flash cell experience to transition NAND from 2D to 3D, multi-level cell (MLC) to tri-level cell (TLC), and 32-layer to our breakthrough 64-layer technology. All of this is done to deliver the highest areal density8 and rapidly grow storage capacities in 3D NAND solutions.

Expansive Portfolio

Built on a Proven Process

With 3D NAND technology, Intel delivers innovative, high-value capabilities into a broad product portfolio. Our experience of designing this architecture into SSD solutions enables us to rapidly improve performance, power consumption, performance consistency, and reliability with each generation.

Manufacturing Scalability

Enabling Disruptive Opportunities

Intel is using manufacturing processes proven by decades of high volume output to build 3D NAND technology. With strong generational synergy across our factory network, Intel expects to grow 3D NAND capacity faster than the market, enabling us to deliver disruptive total cost of ownership and application acceleration to our customer base.

Thông tin Sản phẩm và Hiệu năng

1

TLC (ô 3 cấp) có 3 bit mỗi ô và QLC (ô 4 cấp) có 4 bit mỗi ô. Được tính là (4-3)/3 = nhiều bit hơn 33% mỗi ô.

 

2

Cụm vSAN 4 nút - Cấu hình hệ thống 1 nút: Model máy chủ: Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS); MB: H48104-850; CPU: Hai bộ xử lý Intel® Xeon® Gold 6142 2.6G, 16C/32T, 10.4GT/giây, 22M bộ nhớ cache, Turbo, HT (150W) DDR4-2666; Bộ nhớ: 16GB RDIMM, 2666MT/giây, Dual Rank x16; NICs: Intel X520-DA2 10GbE SFP+ DAC và Intel X722 10GbE LAN nhúng. Toàn bộ cấu hình TLC: 2x SSD dành cho trung tâm dữ liệu chuỗi Intel® P4610, 1,6TB cho bộ nhớ cache và 4x SSD dành cho trung tâm dữ liệu chuỗi Intel® P4510, 4,0TB để lưu trữ; Cấu hình bộ nhớ Intel® Optane™ + QLC: 2x SSD Intel® Optane™ DC P4800X 375GB cho bộ nhớ cache và 2x SSD Intel® D5-P4320 7,68TB để lưu trữ. 2 khối lượng công việc: HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench. Số lượng VM: 16, Số lượng đĩa dữ liệu: 8, Dung lượng đĩa dữ liệu: 60, Số lượng đĩa cần kiểm tra: 8, Tỷ lệ hoạt động-thiết lập: 100, Số lượng luồng mỗi đĩa: 4, Dung lượng khối: 4K, Tỷ lệ đọc: 70, Tỷ lệ ngẫu nhiên: 50, Thời gian kiểm tra: 3600. Kết quả: Cấu hình P4610+P4510 = 83.451 IOPS ở độ trễ 6,3ms. Cấu hình Cấu hình P4800x+P43220 = 346.644 IOPS ở độ trễ 1,52ms. 

 

3

So sánh HDD 7200 RPM cấp doanh nghiệp 3,5’ 4TB WD Gold TB cho phép lên đến 24 HDD mỗi 2U và tổng cộng 20U và tổng cộng 960TB với SSD Intel® D-5 P4326 E1.L 30,72TB (được bán trên thị trường trong tương lai) cho phép lên đến 32 mỗi 1U và tổng cộng 1U và 983TB. Nghĩa là 20 đơn vị tủ Rack so với 1 đơn vị tủ Rack.

 

4

Tiết kiệm chi phí Điện năng, Tản nhiệt, Kết hợp. Dựa trên HDD: HDD 7,2K RPM 4TB, AFR là 2,00% and và công suất thuần là 7,7W, 24 ổ đĩa trong 2U (tổng công suất 1971W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: công suất thuần là 22W, 44% AFR, 32 ổ đĩa trong 1U (tổng công suất 704W); Chi phí Tản nhiệt dựa trên thời hạn triển khai là 5 năm với chi phí Kwh là $0,158 và số lượng watt để tản nhiệt 1 watt là 1,20 Dựa trên HDD 3,5” 2U 24 ổ đĩa và EDSFF 1U Long 1U 32 ổ đĩa. Bộ lưu trữ lai khi sử dụng SSD Intel® Transforming Learning Course(s) (Intel® TLC) cho bộ nhớ cache.

 

5

Tiết kiệm chi phí Thay ổ đĩa. Cách tính: HDD 2% AFR x 256 ổ đĩa x 5 năm = 25,6 lần thay trong 5 năm; SSD: 0,44% AFR x 32 ổ đĩa x 5 năm = 0,7 lần thay trong 5 năm.

 

6

So sánh IOPS đọc ngẫu nhiên 4K và Độ sâu hàng đợi 32 giữa SSD D5-P4320 của Intel và HDD N300 của Toshiba. 175.000 IOPS: Dữ liệu được đo từ SSD D5-P4320 7,68TB của Intel. IOPS đọc ngẫu nhiên 4K; Độ sâu hàng đợi 32. IOPS 532: Dựa trên điểm chuẩn phần cứng của Tom dành cho RPM HDD N300 8TB 7.2K của Toshiba. IOPS đọc ngẫu nhiên 4K; Độ sâu hàng đợi 32: https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html. Do đó, IOPS đọc ngẫu nhiên 4K cao hơn 329 lần.

 

7

PCIe* IOPS dựa trên tốc độ đọc ngẫu nhiên 4K mô phỏng, độ sâu hàng đợi 256, ước tính hiệu năng do Intel thực hiện cho Intel D5-P4320/D5-P4326 PCIe* dựa trên QLC SSD với dung lượng khác nhau: 3,84TB; 7,68TB; 15,36TB và 30,72TB. SATA IOPS được đặt thành 100K IOPS cho tất cả mức dung lượng, dựa trên 100K IOPS là mức tối đa có thể cho SSD cơ bản SATA cạnh tranh hiện tại từ Micron. Bảng dữ liệu của NAND Flash SSD chuỗi 5200 của Micron cho thấy QD32 IOPS đọc ngẫu nhiên 4K tối đa là 95K IOPS cho các SKU 3,84TB và 7,68TB. Bảng dữ liệu được đăng tại đây: https://www.micron.com/parts/solid-state-storage/ssd/mtfddak7t6tdc-1at16ab?pc={1E253C11-6399-4D14-A445-F1DE2EB7ECAC}

 

8

So sánh mật độ vùng của dữ liệu do Intel đánh giá trên Intel® 3D NAND 512GB với các sản phẩm cạnh tranh tiêu biểu dựa trên báo cáo của IEEE International Solid-State Circuits Conference 2017 trích dẫn dung lượng vi xử lý của Samsung Electronics và Western Digital/Toshiba cho bộ phận 3D NAND chồng 64.